Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Дунхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
100 В/8 мОм/68 А N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B ДСД090Н10Л3А ТО-252Б 100В 68А Donghai_DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
20А 650В барьерный диод ДКК20Д65Г4 Карбид Шоттки ТО-247-3 DCC20D65G4 ТО-247 650В 20А Спецификация устройства DCC20D65G4.pdf
биполярный транзистор ДГК20Ф65М2 ТО-247-3Л ворот 20А 650В изолированный Тренчстоп ДГК20Ф65М2 ТО-247 650В 20А DGC20F65M2_datasheet.pdf
120 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DTG045N04NA TO-220C ДТГ045Н04НА ТО-220С 40В 120А Устройство+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Спецификация+Ред.1.0.pdf
60А 600В Диод быстрого восстановления MUR6060BCT MUR6060BCT TO-247 MUR6060BCT ТО-247 600В 60А 英文版MUR6060BCT技术规格书REV1.1.pdf
N-канальный силовой SiC-МОП-транзистор, 40 мОм, 650 В DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 ТО-247 650В 52А Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Диод барьера ДКЭ08Д65Г4 К-263 Карбида Шоттки 8А 650В DCE08D65G4 ТО-263 650В 8А Спецификация устройства DCE08D65G4.pdf
DHS051N10P DFN5X6 ДХС051Н10П DFN5X6 100В 108А Спецификация устройства DHS051N10P(2).pdf
250 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH019N04 TO-220C ДХ019N04 ТО-220С 40В 250А Спецификация устройства DH019N04.pdf
N-канальный режим расширения Power MOSFET 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20
68 В/7,2 мОм/80 А N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N ТО-252Б 68В 80А Donghai_DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
Трехконтактный регулятор напряжения IC L7810 TO-220M L7810 ТО-220М 10 В 8мА 英文版L78XX 技术规格书.pdf
40 В/4,5 мОм/40 А N-МОП-транзистор DSR070N04LA DSR070N04LA
30А 400В Диод быстрого восстановления MUR3040NCS TO-3PN МУР3040NCS ТО-3ПН 400В 30А 英文版MUR3040NCS技术规格书.pdf
80А 200В Диод быстрого восстановления MUR80FU20NCT TO-3PN MUR80FU20NCT ТО-3ПН 200В 80А 英文版MUR80FU20NCT技术规格书REV1.2.pdf
60А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHD015N06 TO-252B ДХД015Н06 ТО-252Б 60В 60А Спецификация устройства DHD015N06(低开启电压50N06).pdf
Режим расширения P-канала, силовой МОП-транзистор 30 А, 100 В DH100P28D TO-252B ДХ100П28Д ТО-252Б -100В -30А Спецификация устройства DH100P28.pdf
180A 40V N-канальный режим расширения MOSFET DTG018N04N To-220C ДТГ018N04N ТО-220С 40В 180А DongHai DTG018N04N&DTJ018N04N Технический паспорт, версия 1.0.pdf
60A 68V N-канальный режим расширения MOSFET DH105N07D TO-252B ДХ105Н07Д ТО-252Б 68В 60А Спецификация устройства DH105N07.pdf
100 В/5,5 мОм/100AN-МОП-транзистор DSD065N10L3A TO-252 ДСД065Н10Л3А ТО-252Б 100В 100А Donghai_DSD065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Дунхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторское право © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com