未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукты
Модель:
Упаковка:
V:
A:
Выбранные линейки продуктов:

Все продукты

изображений модели Пакет v Анаширование данных сведения о данных Добавить в корзину
96A 100 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100 В 96а Устройство DSP051N10N Спецификация Rev.1.0.pdf
60a 300V Диод быстрого восстановления MUR6030NCA TO-3PN MUR6030NCA До 3pn 300 В. 60а 英文版 MUR6030NCA 技术规格书 .pdf
50A 650V Трангеста, изолированная биполярный транзистор DGC50F65M2 до-247 DGC50F65M2 До 247 650 В. 50а _datasheet.pdf
220A 40 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA До 263 40 В 220A Устройство DTE025N04NA & DTG025N04NA спецификация Rev.1.0.pdf
2A 600V N-канальный режим режима Power Mosfet D2N60 до 252B D2N60 До 252b 600 В. 2A 英文版 D2N60 技术规格书 .pdf
13A 900V N-канальный режим режима мощности мощности 13N90 TO-3PN 13n90 До 3pn 900 В. 13а 英文版 13n90 技术规格书 .pdf
100A 100 В n-канальный режим улучшения режима мощности DHS065N10 До-220c 100 В 95а Устройство+DHS065N10+Спецификация+Rev.2.0.pdf
30A 600 В диод быстрого восстановления MURF3060 до 220-2L Murf3060
6A 650V Трангеста, изолированная затвора Биполярный транзистор DGD06F65M2 до 252B DGD06F65M2 До 252b 650 В. 6A _datasheet.pdf
80A 60 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
65A 30 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30 В 65а Устройство DH033N03R Specification.pdf
9A 900V N-канальный режим режима Power MOSFET 9N90B до 247 9n90b До 247 900 В. 9а 英文版 9n90b 技术规格书 Rev1.0 (1) .pdf
18A 650V N-канальный режим режима мощности MOSFET F18N65 TO-220F F18N65 До-220f 650 В. 18а 英文版 f18n65 技术规格书 rev1.0.pdf
155A 40 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH035N04 до-220C DH035N04 До-220c 40 В 155а Устройство DH035N04 Specification.pdf
Регуляторы положительного напряжения 78L12 SOT-23 78L12 SOT-23 12 В 2MA 英文版 78lxx 技术规格书 (78L 系列) .pdf
47A 100 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100 В 47а Устройство DH135N10P Specification.pdf
N-канал Super Junction Power MOSFET 7A 650V DHDSJ7N65 TO-252B DHDSJ7N65 До 252b 650 В. 7A Устройство DHDSJ7N65 & DHBSJ7N65 Speciation.doc.pdf
10A 650V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET F10N65 TO-220F F10N65 До-220f 650 В. 10а 英文版 f10n65 技术规格书 rev1.0.pdf
80A 300V Диод быстрого восстановления MUR80G30NCT TO-3PN MUR80G30NCT До 3pn 300 В. 80A 英文版 MUR80G30NCT 技术规格书 Rev.1.0.pdf
35A 120V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DSD270N12N3 до 252B DSD270N12N3 До 252b 120 В 35а Устройство+DSD270N12N3+Спецификация+Rev.1.0.pdf

Продукт видео

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com