Доступность: | |
---|---|
количество: | |
DTG045N04NA
WXDH
DTG045N04NA
До-220c
Устройство+DTG045N04NA & DTE043N04NA+Спецификация+Rev.1.0.pdf
40 В
120a
120A 40 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET
1 Описание
В этих мощных мосфетах режима N-канала использовались современные технологии траншеи, обеспечивая отличную зарядку RDSON и низкий затвор. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● AEC Q101
● Низкое сопротивление
● Зарядки с низким затвором
● Низкие емкости обратного переноса
● Быстрое переключение
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
3 приложения
● Приложения переключения питания
● Система управления инвертором
● Электроинструменты
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
40 В | 3,8 МОм | 120a |
120A 40 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET
1 Описание
В этих мощных мосфетах режима N-канала использовались современные технологии траншеи, обеспечивая отличную зарядку RDSON и низкий затвор. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● AEC Q101
● Низкое сопротивление
● Зарядки с низким затвором
● Низкие емкости обратного переноса
● Быстрое переключение
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
3 приложения
● Приложения переключения питания
● Система управления инвертором
● Электроинструменты
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
40 В | 3,8 МОм | 120a |