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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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120A 40V Modo de aprimoramento de canal n

Esses MOSFETs de potência de aprimoramento de canal N usavam design avançado de tecnologia de vala, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
Disponibilidade:
Quantidade:

120A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET


1 Descrição 

Esses MOSFETs de potência de aprimoramento de canal N usavam design avançado de tecnologia de vala, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS. 


2 recursos 

● AEC Q101 Qualificado 

● baixa resistência 

● Baixa carga do portão 

● Capacitâncias de transferência reversa baixa 

● Comutação rápida 

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único 


3 aplicações 

● Aplicativos de comutação de energia 

● Sistema de gerenciamento de inversor 

● Ferramentas elétricas


VDSS Rds (on) (Typ) EU IA
40V 3,8mΩ 120a


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