MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 120 A 40 V
1 Descriptif
Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
2 Caractéristiques
● Qualifié AEC Q101
● Faible résistance
● Faible charge de porte
● Faibles capacités de transfert inverse
● Commutation rapide
● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %
3 candidatures
● Applications de commutation de puissance
● Système de gestion de l'onduleur
● Outils électriques
| VDSS |
RDS (activé) (TYP) |
IDENTIFIANT |
| 40V |
3,8 mΩ |
120A |