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DTG045N04NA
Wxdh
DTG045N04NA
A 220c
Dispositivo+DTG045N04NA y DTE043N04NA+Especificación+Rev.1.0.pdf
40V
120a
120A 40V N-Canal Modo de mejora MOSFET
1 descripción
Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
● AEC Q101 calificado
● Bajo en resistencia
● carga de puerta baja
● Capacitancias de transferencia inversa bajas
● Cambio rápido
● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%
3 aplicaciones
● Aplicaciones de conmutación de encendido
● Sistema de gestión de inversores
● Herramientas eléctricas
VDSS | RDS (ON) (typ) | IDENTIFICACIÓN |
40V | 3.8mΩ | 120a |
120A 40V N-Canal Modo de mejora MOSFET
1 descripción
Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
● AEC Q101 calificado
● Bajo en resistencia
● carga de puerta baja
● Capacitancias de transferencia inversa bajas
● Cambio rápido
● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%
3 aplicaciones
● Aplicaciones de conmutación de encendido
● Sistema de gestión de inversores
● Herramientas eléctricas
VDSS | RDS (ON) (typ) | IDENTIFICACIÓN |
40V | 3.8mΩ | 120a |