未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS » 120A 40V N-kanavainen lisälaite Virta MOSFET DTG045N04NA TO-220C

lastaus

Jaa:
Facebookin jakamispainike
Twitterin jakamispainike
linjan jakamispainike
wechatin jakamispainike
linkedinin jakamispainike
pinterestin jakamispainike
whatsapp jakamispainike
jaa tämä jakamispainike

120A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DTG045N04NA TO-220C

Nämä N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä kaivaustekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdsonin ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin muka kaivaustekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdsonin ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukstop Insulated Gate Bipolar Transistorista
~!phoenix_var62_1!~
, seuraavat artikkelit antavat sinulle apua. Nämä uutiset ovat uusin markkinatilanne, kehitystrendi tai niihin liittyvät vinkit
Tiedustella Lisää koriin

120A 40V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET


1 Kuvaus 

Nämä N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä kaivaustekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 


2 Ominaisuudet 

● AEC Q101 -hyväksytty 

● Alhainen vastus 

● Matala portin lataus 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit 

● Nopea vaihto 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 


3 Sovellukset 

● Virrankytkentäsovellukset 

● Invertterin hallintajärjestelmä 

● Sähkötyökalut


VDSS RDS(päällä)(TYP) ID
40V 3,8 mΩ 120A


Edellinen: 
Seuraavaksi: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com