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120A 40V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DTG045N04NA TO-220C

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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120A 40V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● AEC Q101 qualifiziert 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● schnelles Umschalten 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen 

● Inverter -Management -System 

● Elektrowerkzeuge


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
40V 3,8 mΩ 120a


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