brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100 V 68A Donghai_DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 650 V SiC DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650 V 20A Specyfikacja urządzenia DCC20D65G4.pdf
20A 650V Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką Trenchstop DGC20F65M2 TO-247-3L DGC20F65M2 TO-247 650 V 20A DGC20F65M2_datasheet.pdf
120A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA TO-220C 40 V 120A Urządzenie+DTG045N04NA i DTE043N04NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 60A 600V MUR6060BCT MUR6060BCT TO-247 MUR6060BCT TO-247 600 V 60A Przeczytaj MUR6060BCT 技术规格书REV1.1.pdf
40mΩ 650V N-kanałowy MOSFET mocy SiC DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 TO-247 650 V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Arkusz danych_V1.0.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 8A 650 V SiC DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650 V 8A Specyfikacja urządzenia DCE08D65G4.pdf
DHS051N10P DFN5X6 DHS051N10P DFN5X6 100 V 108A Specyfikacja urządzenia DHS051N10P(2).pdf
250A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40 V 250A Specyfikacja urządzenia DH019N04.pdf
MOSFET mocy w trybie N-kanałowym 18N20/F18N20/I18N20/E18N20/B18N20/D18N20
68V/7,2mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N TO-252B 68 V 80A Donghai_DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
Trójzaciskowy regulator napięcia IC L7810 TO-220M L7810 TO-220M 10 V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
40 V/4,5 mΩ/40 A N-MOSFET DSR070N04LA DSR070N04LA
Dioda szybkiego odzyskiwania 30A 400V MUR3040NCS TO-3PN MUR3040NCS TO-3PN 400 V 30A Plik źródłowy MUR3040NCS 技术规格书.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 80A 200V MUR80FU20NCT TO-3PN MUR80FU20NCT TO-3PN 200 V 80A Przeczytaj MUR80FU20NCT 技术规格书REV1.2.pdf
60A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD015N06 TO-252B DHD015N06 TO-252B 60 V 60A Specyfikacja urządzenia DHD015N06 (低开启电压50N06).pdf
Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D TO-252B -100 V -30A Specyfikacja urządzenia DH100P28.pdf
180A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DTG018N04N To-220C DTG018N04N TO-220C 40 V 180A DongHai DTG018N04N i DTJ018N04N Karta katalogowa Rev.1.0 .pdf
60A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH105N07D TO-252B DH105N07D TO-252B 68 V 60A Specyfikacja urządzenia DH105N07.pdf
100V/5,5mΩ/100AN-MOSFET DSD065N10L3A TO-252 DSD065N10L3A TO-252B 100 V 100A Donghai_DSD065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf

Film o produkcie

  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą