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MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 60A 40V DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40V 60A Especificación del dispositivo DH065N04P.pdf
30V/2.2mΩ/150A N-MOSFET DTG023N03L TO-220C DTG023N03L A-220C 30V 150A Donghai_DTG023N03L_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 A-220C 85V 100A Especificación del dispositivo DHS065N85.pdf
MOSFET de potencia súper unión de canal N de 10.6A 700V DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700v 10.6A Dispositivo DJF420N70T Especificación Rev.1.0.pdf
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 A-220C 120V 36A Donghai_DSG270N12N3&DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky MBR20R150CT TO-220C de 20 A, 150 V, VF bajo MBR20R150CT A-220C 150V 20A 英文版MBR20R150CT技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky 30A 45V MBR3045CT TO-3P MBR3045CT A-3PN 45V 30A
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 140 A y 85 V DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 200A 30V DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30V 200A Especificación del dispositivo DH020N03(B39).pdf
Modo de mejora de canal N Potencia MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 130 A y 100 V DHS037N10/ DHS037N10F/DHS037N10E
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 A-220C 40V 180A Especificación del dispositivo DHS020N04.pdf
Diodo de recuperación rápida 16A 400V MURF1640CT TO-220F MURF1640CT TO-220F 400V 16A 英文版MURF1640CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 54A 30V DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Especificación del dispositivo DH060N03R.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 120A 70V DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70V 120A Donghai+DHS130N06B y DHS130N06D+Hoja de datos+V3.0 (1).pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 40A 1200V DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 A-247-2 1200V 40A Especificación del dispositivo DCCT40D120G4.pdf
MOSFET de potencia de unión estupenda del canal N de 4.8A 650V DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650V 4.8A Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
MOSFET B2N65 de potencia del modo de mejora del canal N de 2A 650 V B2N65 TO-251B 650V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky de 15A 1200V SiC DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Especificación del dispositivo DCGT15D120G4.pdf

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