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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 80A 85V DHS065N85P DFN5*6-8

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 80 A y 85 V
Disponibilidad:
Cantidad:

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 80A y 85V


1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 


2 características 

● Cambio rápido 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Alta corriente de avalancha

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS 


3 aplicaciones 

● Rectificación síncrona en SMPS 

● Conmutación dura y circuito de alta velocidad 

● herramientas eléctricas 

● SAI 

● Control de motores

VDSS RDS (activado) (TIPO) IDENTIFICACIÓN
85V 5,8 mΩ 80A


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