未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS » 80A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS065N85P DFN5*6-8

načítavanie

Zdieľať s:
tlačidlo zdieľania na facebooku
tlačidlo zdieľania na Twitteri
tlačidlo zdieľania linky
tlačidlo zdieľania wechat
prepojené tlačidlo zdieľania
tlačidlo zdieľania na pintereste
tlačidlo zdieľania whatsapp
zdieľať toto tlačidlo zdieľania

80A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS065N85P DFN5*6-8

80A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Dostupnosť:
Množstvo:
Opýtajte sa Pridať do košíka

80A 85V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET


1 Popis 

Tieto výkonové mosfety s režimom N-kanálového vylepšenia využívali pokročilý dizajn technológie delenej brány, ktorý poskytoval vynikajúci Rdson a nízky náboj brány. Čo je v súlade s normou RoHS. 


2 Vlastnosti 

● Rýchle prepínanie 

● Nízky odpor 

● Nízky poplatok za bránu 

● Vysoký lavínový prúd

● Nízke kapacity spätného prenosu 

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom

● 100 % test ΔVDS 


3 Aplikácie 

● Synchrónna náprava v SMPS 

● Tvrdé spínanie a vysokorýchlostný obvod 

● Elektrické náradie 

● UPS 

● Ovládanie motora

VDSS RDS(zapnuté)(TYP) ID
85V 5,8 mΩ 80A


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
80A 85V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com