brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov »» Výrobky » Mosfet » 12v-300 V n MOS »» 80a 85V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DHS065N85P DFN5*6-8

zaťaženie

Zdieľať na:
Tlačidlo zdieľania Facebooku
Tlačidlo zdieľania Twitteru
tlačidlo zdieľania riadkov
Tlačidlo zdieľania WeChat
tlačidlo zdieľania linkedIn
tlačidlo zdieľania Pinterest
Tlačidlo zdieľania WhatsApp
Tlačidlo zdieľania zdieľania zdieľania

80A 85V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DHS065N85P DFN5*6-8

80A 85V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET
dostupnosť:
Množstvo:

80A 85V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET


1 popis 

Tieto n-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFETS používali pokročilý dizajn technológie Trench Trench Technology, poskytovali vynikajúci poplatok RDSON a nízky brán. Čo je v súlade so štandardom ROHS. 


2 funkcie 

● Rýchle prepínanie 

● Nízky odpor 

● Nízka brána 

● Vysoký lavínový prúd

● Nízke kapacity prenosu spätného prenosu 

● 100% Energia Energy Energy Energy Test

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikácie 

● Synchrónna rektifikácia v SMP 

● Tvrdé prepínanie a vysokorýchlostný obvod 

● Elektrické náradie 

● UPS 

● Ovládanie motora

VDSS RDS (on) (typ) Id
85V 5,8 mΩ 80A


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty