30V/2.2mΩ/150A N-MOSFET DTG023N03L TO-220C

MOSFET N de 30 V/2,2 mΩ/150 A

1 Descripción 

Este MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N utiliza la avanzada tecnología Split Gate Trench, que proporciona un Rdson excelente y una carga de puerta baja al mismo tiempo. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

● Baja resistencia

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

● Recubrimiento sin Pb / Sin halógenos / Cumple con RoHS

3 aplicaciones

● Control y accionamiento de motores

● Carga/Descarga para el sistema de gestión de baterías

● Rectificador síncrono para SMPS

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
30V	2,2 mΩ	150A