30В/2,2мОм/150А N-MOSFET
1 Сипаттама
Бұл N-арнаны жақсарту режимінің қуаты MOSFET бір уақытта тамаша Rdson және төмен Gate зарядын қамтамасыз ететін кеңейтілген Split Gate Trench технологиясын пайдаланады. Бұл RoHS стандартына сәйкес келеді.
2 Мүмкіндіктер
● Төмен қарсылық
● Төмен кері тасымалдау сыйымдылығы
● 100% бір импульстік көшкін энергиясының сынағы
● 100% ΔVDS сынағы
● Pb-Free қаптау / Галогенсіз / RoHS үйлесімді
3 Қолданбалар
● Моторды басқару және жетек
● Батареяны басқару жүйесі үшін зарядтау/разрядтау
● SMPS үшін синхронды түзеткіш
| VDSS |
RDS(қосу)(TYP) |
ID |
| 30В |
2,2 мОм |
150А |