30 V/2,2 mΩ/150 A N-MOSFET DTG023N03L TO-220C

30 V/2,2 mΩ/150 A N-MOSFET

1 Descriptif 

Ce MOSFET de puissance en mode d'amélioration à canal N utilise la technologie avancée Split Gate Trench, qui fournit à la fois un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 

2 Caractéristiques

● Faible résistance

● Faibles capacités de transfert inverse

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS 

● Placage sans plomb/sans halogène/conforme RoHS

3 candidatures

● Contrôle et entraînement du moteur

● Charge/Décharge pour le système de gestion de batterie

● Redresseur synchrone pour SMPS

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
30V	2,2 mΩ	150A