30 V/2,2 mΩ/150 A N-MOSFET
1 Beschreibung
Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus nutzt die fortschrittliche Split-Gate-Trench-Technologie, die gleichzeitig einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● Geringer Widerstand
● Geringe Rückübertragungskapazitäten
● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
● 100 % ΔVDS-Test
● Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform
3 Anwendungen
● Motorsteuerung und Antrieb
● Laden/Entladen für Batteriemanagementsystem
● Synchrongleichrichter für SMPS
| VDSS |
RDS(ein)(TYP) |
AUSWEIS |
| 30V |
2,2 mΩ |
150A |