30V/2,2mΩ/150A N-MOSFET
1 Açıklama
Bu N-kanal geliştirme modu gücü MOSFET, aynı anda mükemmel Rdson ve düşük Geçit şarjı sağlayan gelişmiş Split Gate Trench teknolojisini kullanır. RoHS standardına uygundur.
2 Özellikler
● Düşük direnç
● Düşük ters transfer kapasitansları
● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi
● %100 ΔVDS testi
● Kurşunsuz kaplama / Halojensiz / RoHS uyumlu
3 Uygulama
● Motor Kontrolü ve Tahrik
● Pil Yönetim Sistemi için Şarj/Deşarj
● SMPS için Senkron Doğrultucu
| VDSS |
RDS(açık)(TİP) |
İD |
| 30V |
2,2 mΩ |
150A |