30V/2.2mΩ/150A N-MOSFET
1 Penerangan
MOSFET kuasa mod peningkatan saluran N ini menggunakan teknologi Split Gate Trench termaju, yang memberikan Rdson yang sangat baik dan cas Gerbang rendah pada masa yang sama. Yang sesuai dengan piawaian RoHS.
2 Ciri-ciri
● Rendah pada rintangan
● Kapasiti pemindahan terbalik yang rendah
● 100% ujian tenaga salji nadi tunggal
● 100% ujian ΔVDS
● Penyaduran Bebas Pb / Bebas Halogen / mematuhi RoHS
3 Aplikasi
● Kawalan Motor dan Pandu
● Caj/Nyahcas untuk Sistem Pengurusan Bateri
● Penerus Segerak untuk SMP
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
ID |
| 30V |
2.2mΩ |
150A |