30V/2.2mΩ/150A N-MOSFET DTG023N03L TO-220C

30V/2.2mΩ/150A N-MOSFET

1 ຄຳອະທິບາຍ 

MOSFET ຮູບແບບການເພີ່ມປະສິດທິພາບ N-channel ນີ້ໃຊ້ເທກໂນໂລຍີ Split Gate Trench ຂັ້ນສູງ, ເຊິ່ງສະຫນອງ Rdson ທີ່ດີເລີດແລະຄ່າ Gate ຕ່ໍາໃນເວລາດຽວກັນ. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS. 

2 ຄຸນສົມບັດ

● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ

● ຄວາມອາດສາມາດໃນການໂອນເງິນປີ້ນກັບກັນຕໍ່າ

● 100% ການທົດສອບພະລັງງານ avalanche ກໍາມະຈອນດຽວ 

● 100% ΔVDS ການທົດສອບ 

● Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS ປະຕິບັດຕາມ

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

● ຄວບຄຸມມໍເຕີ ແລະຂັບ

● ການສາກໄຟ/ການປົດສາກສຳລັບລະບົບການຈັດການແບັດເຕີຣີ

● Synchronous Rectifier ສໍາລັບ SMPS

VDSS	RDS(ເປີດ)(TYP)	ID
30V	2.2mΩ	150A