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100 V/8 mΩ/68 A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100 V 68A Donghai_DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650 V 20A Specifiche del dispositivo DCC20D65G4.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 20A 650V DGC20F65M2 TO-247-3L DGC20F65M2 TO-247 650 V 20A DGC20F65M2_datasheet.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 40 V DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA TO-220C 40 V 120A Dispositivo+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specifica+Rev.1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 600V MUR6060BCT MUR6060BCT TO-247 MUR6060BCT TO-247 600 V 60A 英文版MUR6060BCT技术规格书REV1.1.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 40 mΩ 650 V DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 TO-247 650 V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 8A 650V DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650 V 8A Specifiche del dispositivo DCE08D65G4.pdf
DHS051N10PDFN5X6 DHS051N10P DFN5X6 100 V 108A Specifiche del dispositivo DHS051N10P(2).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 250 A 40 V DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40 V 250A Dispositivo DH019N04 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità di miglioramento a canale N 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20
MOSFET N DTD080N07N TO-252B da 68 V/7,2 mΩ/80 A DTD080N07N TO-252B 68V 80A Donghai_DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
CI regolatore di tensione a tre terminali L7810 TO-220M L7810 TO-220M 10 V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
MOSFET N 40 V/4,5 mΩ/40 A DSR070N04LA DSR070N04LA
Diodo a recupero rapido 30A 400V MUR3040NCS TO-3PN MUR3040NCS TO-3PN 400 V 30A 英文版MUR3040NCS技术规格书.pdf
Diodo a recupero rapido 80A 200V MUR80FU20NCT TO-3PN MUR80FU20NCT TO-3PN 200 V 80A 英文版MUR80FU20NCT技术规格书REV1.2.pdf
MOSFET di potenza DHD015N06 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 60 A 60 V DHD015N06 TO-252B 60 V 60A Specifiche del dispositivo DHD015N06 (低开启电压50N06）.pdf
Modalità di potenziamento canale P MOSFET di potenza 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D TO-252B -100 V -30A Specifiche del dispositivo DH100P28.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 180 A 40 V DTG018N04N To-220C DTG018N04N TO-220C 40 V 180A DongHai DTG018N04N&DTJ018N04N Scheda tecnica Rev.1.0 .pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 60 A 68 V DH105N07D TO-252B DH105N07D TO-252B 68V 60A Dispositivo DH105N07 Specifiche.pdf
100 V/5,5 mΩ/100AN-MOSFET DSD065N10L3A TO-252 DSD065N10L3A TO-252B 100 V 100A Donghai_DSD065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf

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