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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 60 A 40 V DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40 V 60A Specifiche del dispositivo DH065N04P.pdf
MOSFET N 30 V/2,2 mΩ/150 A DTG023N03L TO-220C DTG023N03L TO-220C 30 V 150A Donghai_DTG023N03L_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 TO-220C 85 V 100A Specifiche del dispositivo DHS065N85.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 10,6 A 700 V DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700v 10,6A Specifiche del dispositivo DJF420N70T Rev.1.0.pdf
MOSFET N 120 V/25 mΩ/36 A DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 TO-220C 120 V 36A Donghai_DSG270N12N3&DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo barriera Schottky BASSO VF 20A 150 V MBR20R150CT TO-220C MBR20R150CT TO-220C 150 V 20A 英文版MBR20R150CT技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky 30A 45V MBR3045CT TO-3P MBR3045CT TO-3PN 45 V 30A
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 140 A 85 V DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 200 A 30 V DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30 V 200A Dispositivo DH020N03(B39) Specifiche.pdf
Modalità di miglioramento a canale N MOSFET di potenza 68A 100V DH140N10D TO-252B 100 V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 130 A 100 V DHS037N10/ DHS037N10F/DHS037N10E
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 TO-220C 40 V 180A Dispositivo DHS020N04 Specifiche.pdf
Diodo a recupero rapido 16A 400V MURF1640CT TO-220F MURF1640CT TO-220F 400 V 16A 英文版MURF1640CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N 54A 30V DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30 V 54A Dispositivo DH060N03R Specifiche.pdf
MOSFET di potenza DHS130N06D TO-252B in modalità potenziamento canale N da 120 A 70 V DHS130N06D TO-252B 70 V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Scheda dati+V3.0 (1).pdf
Diodo barriera Schottky SiC 40A 1200V DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200 V 40A Specifiche del dispositivo DCCT40D120G4.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 4,8 A 650 V DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650 V 4,8A Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 2 A 650 V B2N65 B2N65 TO-251B 650 V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 15A 1200V DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200 V 15A Specifiche del dispositivo DCGT15D120G4.pdf

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