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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 60A 40V DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40V 60A Spécifications de l'appareil DH065N04P.pdf
30 V/2,2 mΩ/150 A N-MOSFET DTG023N03L TO-220C DTG023N03L TO-220C 30V 150A Donghai_DTG023N03L_Datasheet_V1.0.pdf
 Mode d'amélioration du canal N MOSFET de puissance 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 TO-220C 85V 100A Spécification de l'appareil DHS065N85.pdf
MOSFET de puissance à super jonction canal N, 10,6a, 700V, DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700 V 10,6A Spécifications de l'appareil DJF420N70T Rev.1.0.pdf
120 V/25 mΩ/36 A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 TO-220C 120V 36A Donghai_DSG270N12N3&DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 150V FAIBLE VF SchottkyBarrierDiode MBR20R150CT TO-220C MBR20R150CT TO-220C 150V 20A Description du produit MBR20R150CT.pdf
Diode SchottkyBarrier 30A 45V MBR3045CT TO-3P MBR3045CT TO-3PN 45V 30A
MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 140 A 85 V DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
MOSFET de puissance DH020N03D TO-252B, Mode d'amélioration du canal N, 200A, 30V DH020N03D TO-252B 30V 200A Spécification de l'appareil DH020N03(B39).pdf
 MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 68A 100V DH140N10D TO-252B 100V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 130 A 100 V DHS037N10/ DHS037N10F/DHS037N10E
 Mode d'amélioration du canal N MOSFET de puissance 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 TO-220C 40V 180A Spécification de l'appareil DHS020N04.pdf
Diode de récupération rapide 16A 400V MURF1640CT TO-220F MURF1640CT TO-220F 400V 16A Description du produit MURF1640CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 54A 30V DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Spécifications de l'appareil DH060N03R.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 120A, 70V, DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Fiche technique+V3.0 (1).pdf
Diode barrière Schottky SiC 40A 1200V DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A Spécifications de l'appareil DCCT40D120G4.pdf
MOSFET de puissance à super jonction canal N, 4,8 a, 650V, DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650V 4,8A Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 2A 650V B2N65 B2N65 TO-251B 650V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
Diode barrière Schottky SiC 15A 1200V DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Spécifications de l'appareil DCGT15D120G4.pdf

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