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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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100 V/8 mΩ/68 A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100V 68A Donghai_DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
Diode barrière Schottky SiC 20A 650V DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650V 20A Spécification de l'appareil DCC20D65G4.pdf
Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 20A 650V DGC20F65M2 TO-247-3L DGC20F65M2 TO-247 650V 20A DGC20F65M2_fiche technique.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 120A, 40V, DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA TO-220C 40V 120A Appareil+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Spécification+Rev.1.0.pdf
Diode de récupération rapide 60A 600V MUR6060BCT MUR6060BCT TO-247 MUR6060BCT TO-247 600V 60A Fichier MUR6060BCT pour REV1.1.pdf
MOSFET de puissance SiC canal N 40 mΩ 650 V DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 TO-247 650V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diode barrière Schottky SiC 8A 650V DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650V 8A Spécification de l'appareil DCE08D65G4.pdf
DHS051N10P DFN5X6 DHS051N10P DFN5X6 100V 108A Spécification de l'appareil DHS051N10P (2) .pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 250A 40V DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40V 250A Spécification de l'appareil DH019N04.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 18N20/F18N20/I18N20/E18N20/B18N20/D18N20
68 V/7,2 mΩ/80 A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N TO-252B 68V 80A Donghai_DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
Régulateur de tension à trois bornes IC L7810 TO-220M L7810 TO-220M 10V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
40 V/4,5 mΩ/40 A N-MOSFET DSR070N04LA DSR070N04LA
Diode de récupération rapide 30A 400V MUR3040NCS TO-3PN MUR3040NCS TO-3PN 400V 30A Manuel MUR3040NCS.pdf
Diode de récupération rapide 80A 200V MUR80FU20NCT TO-3PN MUR80FU20NCT TO-3PN 200V 80A Description du produitMUR80FU20NCT技术规格书REV1.2.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 60A 60V DHD015N06 TO-252B DHD015N06 TO-252B 60V 60A Spécification de l'appareil DHD015N06 (低开启电压50N06).pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal P 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D TO-252B -100V -30A Spécifications de l'appareil DH100P28.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 180A, 40V, DTG018N04N To-220C DTG018N04N TO-220C 40V 180A DongHai DTG018N04N&DTJ018N04N Fiche technique Rév.1.0 .pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 60A 68V DH105N07D TO-252B DH105N07D TO-252B 68V 60A Spécification de l'appareil DH105N07.pdf
100 V/5,5 mΩ/100AN-MOSFET DSD065N10L3A TO-252 DSD065N10L3A TO-252B 100V 100A Donghai_DSD065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf

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