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DHS037N10 / DHS037N10F / DHS037N10E
Wxdh
130a 100v Mode d'amélioration du canal N MOSFET
1Description
Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N ont utilisé la conception avancée de la technologie de la tranchée SPLITE GATE, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS.
2 caractéristiques
● Commutation rapide
● Faible de résistance
● Charge de porte basse
● Courant à avalanche élevé
● Capacités de transfert inverse faibles
● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion
● Test à 100% ΔVDS
3 applications
● Rectification synchrone dans SMPS
● Commutation dure et circuit à grande vitesse
● outils électriques
● UPS
● Contrôle du moteur
Vds | RDS (ON) (TYP) | IDENTIFIANT |
100V | 3,7mΩ | 130a |
130a 100v Mode d'amélioration du canal N MOSFET
1Description
Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N ont utilisé la conception avancée de la technologie de la tranchée SPLITE GATE, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS.
2 caractéristiques
● Commutation rapide
● Faible de résistance
● Charge de porte basse
● Courant à avalanche élevé
● Capacités de transfert inverse faibles
● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion
● Test à 100% ΔVDS
3 applications
● Rectification synchrone dans SMPS
● Commutation dure et circuit à grande vitesse
● outils électriques
● UPS
● Contrôle du moteur
Vds | RDS (ON) (TYP) | IDENTIFIANT |
100V | 3,7mΩ | 130a |