brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Výrobky » Mosfet » 12v-300 V n MOS » 130a 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET

zaťaženie

Zdieľať na:
Tlačidlo zdieľania Facebooku
Tlačidlo zdieľania Twitteru
tlačidlo zdieľania riadkov
Tlačidlo zdieľania WeChat
tlačidlo zdieľania linkedIn
Tlačidlo zdieľania Pinterest
Tlačidlo zdieľania WhatsApp
Tlačidlo zdieľania zdieľania zdieľania

130A 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET

130A 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET
dostupnosť:
Množstvo:
  • DHS037N10/ DHS037N10F/ DHS037N10E

  • Wxdh

130A 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET


1Description 

Tieto n-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFETS používali pokročilý dizajn technológie Trench Trench Technology, poskytovali vynikajúci poplatok RDSON a nízky brán. Čo je v súlade so štandardom ROHS. 


2 funkcie 

● Rýchle prepínanie 

● Nízky odpor 

● Nízka brána 

● Vysoký lavínový prúd

● Nízke kapacity prenosu spätného prenosu

● 100% Energia Energy Energy Energy Test 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikácie

● Synchrónna rektifikácia v SMP

● Tvrdé prepínanie a vysokorýchlostný obvod

● Elektrické náradie

● UPS 

● Ovládanie motora


VDSS RDS (on) (typ) Id
100 V 3,7 mΩ 130A


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty