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DHS037N10/ DHS037N10F/ DHS037N10E
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130A 100V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET
1Description
Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und boten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
● schnelles Umschalten
● Niedrig des Widerstands
● Ladung mit niedriger Gate
● hoher Lawinenstrom
● Niedrige Umkehrtransferkapazität
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
3 Anwendungen
● Synchrone Korrektur in SMPs
● Hartschalter und Hochgeschwindigkeitskreislauf
● Elektrowerkzeuge
● ups
● Motorsteuerung
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
100V | 3,7 mΩ | 130a |
130A 100V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET
1Description
Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und boten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
● schnelles Umschalten
● Niedrig des Widerstands
● Ladung mit niedriger Gate
● hoher Lawinenstrom
● Niedrige Umkehrtransferkapazität
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
3 Anwendungen
● Synchrone Korrektur in SMPs
● Hartschalter und Hochgeschwindigkeitskreislauf
● Elektrowerkzeuge
● ups
● Motorsteuerung
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
100V | 3,7 mΩ | 130a |