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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 54A 30V DH060N03R DFN3×3-8L

Ces vdmosfets améliorés à canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
Disponibilité :
Quantité :

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 54 A 30 V


1 Descriptif 


Ces vdmosfets améliorés à canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques

● Faible perte de commutation

● Faible résistance 

● Faible charge de porte

● Faible capacité de transfert inverse

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS 


3 candidatures 

● Applications de commutation de puissance

● Convertisseurs DC-DC 

● Outils électriques 

● Redresseur synchrone

● Système de gestion de l'onduleur

VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
30V 5,3 mΩ 54A


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