Ketersediaan: | |
---|---|
Kuantiti: | |
DH060N03R
WXDH
DFN3X3
30V
54a
54A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
Ini N-Channel yang dipertingkatkan VDMOSFETS menggunakan reka bentuk teknologi parit maju, dengan syarat RDSON yang sangat baik dan caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS.
2 ciri
● Kerugian beralih rendah
● Rendah terhadap rintangan
● Caj pintu rendah rendah
● Kapasiti pemindahan terbalik yang rendah
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% Δvds
3 aplikasi
● Aplikasi pensuisan kuasa
● Penukar DC-DC
● Alat kuasa
● Penyambung segerak
● Sistem Pengurusan Inverter
VDSS | Rds (on) (typ) | Id |
30V | 5.3mΩ | 54a |
54A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
Ini N-Channel yang dipertingkatkan VDMOSFETS menggunakan reka bentuk teknologi parit maju, dengan syarat RDSON yang sangat baik dan caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS.
2 ciri
● Kerugian beralih rendah
● Rendah terhadap rintangan
● Caj pintu rendah rendah
● Kapasiti pemindahan terbalik yang rendah
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% Δvds
3 aplikasi
● Aplikasi pensuisan kuasa
● Penukar DC-DC
● Alat kuasa
● Penyambung segerak
● Sistem Pengurusan Inverter
VDSS | Rds (on) (typ) | Id |
30V | 5.3mΩ | 54a |