Disponibilidade: | |
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Quantidade: | |
DH060N03R
Wxdh
Dfn3x3
30V
54a
54A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET
1 Descrição
Esses VDMOSFETs aprimorados de canal N usavam design avançado de tecnologia de vala, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
2 recursos
● Perda de baixa comutação
● baixa resistência
● Baixa carga do portão
● Capacitância de transferência reversa baixa
● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único
● Teste 100% ΔVDS
3 aplicações
● Aplicativos de comutação de energia
● Conversores DC-DC
● Ferramentas elétricas
● retificador síncrono
● Sistema de gerenciamento de inversor
VDSS | Rds (on) (Typ) | EU IA |
30V | 5.3mΩ | 54a |
54A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET
1 Descrição
Esses VDMOSFETs aprimorados de canal N usavam design avançado de tecnologia de vala, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
2 recursos
● Perda de baixa comutação
● baixa resistência
● Baixa carga do portão
● Capacitância de transferência reversa baixa
● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único
● Teste 100% ΔVDS
3 aplicações
● Aplicativos de comutação de energia
● Conversores DC-DC
● Ferramentas elétricas
● retificador síncrono
● Sistema de gerenciamento de inversor
VDSS | Rds (on) (Typ) | EU IA |
30V | 5.3mΩ | 54a |