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54A 30V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DH060N03R DFN3 × 3-8L

Diese N-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs verwendeten fortschrittliches Gräbertechnologie-Design und boten eine hervorragende RDSON und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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54A 30V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 


Diese N-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs verwendeten fortschrittliches Gräbertechnologie-Design und boten eine hervorragende RDSON und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale

● Niedriger Schaltverlust

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen

● DC-DC-Konverter 

● Elektrowerkzeuge 

● Synchrone Gleichrichter

● Inverter -Management -System

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
30V 5,3 mΩ 54a


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