54A 30V N-kanal Geliştirme Modu Gücü MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L

54A 30V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama 

Bu N-kanallı geliştirilmiş vdmosfet'ler, gelişmiş hendek teknolojisi tasarımını kullanmış, mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağlamıştır. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler

● Düşük anahtarlama kaybı

● Düşük direnç 

● Düşük kapı ücreti

● Düşük ters transfer kapasitansı

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● Güç anahtarlama uygulamaları

● DC-DC dönüştürücüler 

● Elektrikli aletler 

● Senkron Doğrultucu

● İnvertör yönetim sistemi

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
30V	5,3mΩ	54A