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MOSFET de puissance à super jonction canal N, 4,8 a, 650V, DHDSJ5N65 TO-252B

Ces vdmosfets améliorés à canal N sont obtenus grâce à la technologie planaire auto-alignée qui réduit la perte de conduction, améliore
les performances de commutation et améliore l'énergie d'avalanche. Ce qui est conforme à la norme RoHS.

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Modèle:
DHDSJ5N65
Marque:
WXDH
Emballer:
TO-252B
Fiche de données:
Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
V :
650V
UN:
4,8A

Description du produit

MOSFET de puissance à super jonction canal N 4,8 A 650 V

1 Descriptif

Ces VDMOSFET améliorés à canal N utilisent une technologie et une conception avancées de superjonction pour fournir un excellent Rdson avec une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.

2 Caractéristiques

● Commutation rapide

● Faible résistance

● Faible charge de porte

● Faibles capacités de transfert inverse

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

● Test 100 % ΔVDS

3 candidatures

● Alimentations à découpage (SMPS).

● Alimentation du téléviseur et alimentation de l'éclairage LED

● Convertisseurs AC vers DC

● Télécom

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
650V	0,87Ω	4,8A

MOSFET