未命名 (1) (8) (1)
grille
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Vous êtes ici: Maison » Produits » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 4.8A 650V N-canal Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B

chargement

Partager à:
Bouton de partage Facebook
Bouton de partage Twitter
bouton de partage de ligne
bouton de partage de WeChat
Bouton de partage LinkedIn
Bouton de partage Pinterest
Bouton de partage WhatsApp
Bouton de partage Sharethis

4.8A 650V N-canal Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B

Ces VDMOSFET améliorés en n canaux N sont obtenus par la technologie plane auto-alignée qui réduisent la perte de conduction, améliorent
les performances de commutation et améliorent l'énergie de l'avalanche. Qui correspond à la norme ROHS.
Disponibilité:
quantité:
Renseigner Ajouter au panier

4.8A 650V N-canal Super Junction Power Mosfet


1 Description

Ces VDMOSFETs améliorés en n canal N utilisent une technologie et une conception avancées de super jonction pour fournir un excellent RDSON avec une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS. 


2 caractéristiques

● Commutation rapide 

● Faible de résistance

● Charge de porte basse

● Capacités de transfert inverse faibles 

● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion 

● Test à 100% ΔVDS 


3 applications 

● Alimentation d'alimentation en mode commuté (SMPS).

● Power TV et puissance d'éclairage LED 

● convertisseurs AC à DC 

● Télécom


Vds  RDS (ON) （TYP) IDENTIFIANT 
650V 0,87Ω 4.8a



Précédent: 
Suivant: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Inscrivez-vous à notre newsletter
  • Préparez-vous pour le futur
    inscrivez-vous à notre newsletter pour obtenir des mises à jour directement dans votre boîte de réception
    Soumettre
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com