kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 4.8A 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B

terhelés

Megosztás:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

4,8A 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B

Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett vdmosfeteket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási
teljesítményt és növeli a lavina energiáját. Ami megfelel a RoHS szabványnak.
Elérhetőség:
Mennyiség:

4.8A 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET


1 Leírás

Ezek az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-ek fejlett szuper junction technológiát és kialakítást használnak, hogy kiváló Rdson-t biztosítsanak alacsony kaputöltés mellett. Ami megfelel a RoHS szabványnak. 


2 Jellemzők

● Gyors váltás 

● Alacsony ellenállás

● Alacsony kaputöltés

● Alacsony fordított átviteli kapacitás 

● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt 

● 100% ΔVDS teszt 


3 Alkalmazások 

● Kapcsolt üzemmódú tápegységek (SMPS).

● TV tápellátás és LED világítás teljesítménye 

● AC-DC átalakítók 

● Telecom


VDSS  RDS (bekapcsolva) (TYP) ID 
650V 0,87Ω 4.8A



Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket