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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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MOSFET de potencia de unión estupenda del canal N de 4.8A 650V DHDSJ5N65 TO-252B

Estos vdmosfets mejorados de canal N se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora
el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha. Lo cual cumple con el estándar RoHS.
Disponibilidad:
Cantidad:

MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 4,8 A y 650 V


1 Descripción

Estos VDMOSFET mejorados de canal N utilizan tecnología y diseño avanzados de súper unión para proporcionar un Rdson excelente con carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 


2 características

● Cambio rápido 

● Baja resistencia

● Cargo de puerta bajo

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 


3 aplicaciones 

● Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).

● Alimentación de TV y alimentación de iluminación LED 

● Convertidores de CA a CC 

● Telecomunicaciones


VDSS  RDS (activado) (TIPO) IDENTIFICACIÓN 
650V 0,87Ω 4.8A



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