4.8A 650V N-channel Super Junction ኃይል MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B

4.8A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET

1 መግለጫ

እነዚህ ኤን-ቻናል የተሻሻሉ VDMOSFETs፣ የላቀ የራድሰንን ዝቅተኛ የበር ክፍያ ለማቅረብ የላቀ የሱፐር መገናኛ ቴክኖሎጂን እና ዲዛይን እየተጠቀመ ነው። የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል። 

2 ባህሪያት

● ፈጣን መቀያየር 

● ዝቅተኛ የመቋቋም ችሎታ

● ዝቅተኛ የበር ክፍያ

● ዝቅተኛ የተገላቢጦሽ ማስተላለፊያ አቅም 

● 100% ነጠላ የpulse avalanche energy ሙከራ 

● 100% ΔVDS ፈተና 

3 መተግበሪያዎች 

● የተቀየረ ሁነታ የኃይል አቅርቦቶች (SMPS)።

● የቲቪ ኃይል እና የ LED መብራት ኃይል 

● AC ወደ ዲሲ መለወጫዎች 

● ቴሌኮም

ቪዲኤስኤስ	RDS(በርቷል)(TYP)	መታወቂያ
650 ቪ	0.87Ω	4.8A