ປະຕູ
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
ເຈົ້າຢູ່ນີ້: ບ້ານ » ຜະລິດຕະພັນ » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 4.8A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B

ກຳລັງໂຫຼດ

ແບ່ງປັນໄປທີ່:
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ facebook
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ twitter
ປຸ່ມ​ແບ່ງ​ປັນ​ເສັ້ນ​
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ wechat
linkedin ປຸ່ມການແບ່ງປັນ
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ pinterest
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ whatsapp
ແບ່ງປັນປຸ່ມແບ່ງປັນນີ້

4.8A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B

ເຫຼົ່ານີ້ N-channel ປັບປຸງ vdmosfets, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຊີການວາງແຜນຕົນເອງສອດຄ່ອງທີ່ຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍ conduction, ປັບປຸງ
ການປະຕິບັດການສະຫຼັບແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານ avalanche. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.
ມີ:
ປະລິມານ:

4.8A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET


1 ຄຳອະທິບາຍ

ເຫຼົ່ານີ້ N-channel ປັບປຸງ VDMOSFETs, ກໍາລັງໃຊ້ເຕັກໂນໂລຊີ super junction ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານແລະການອອກແບບເພື່ອໃຫ້ Rdson ທີ່ດີເລີດທີ່ມີຄ່າບໍລິການປະຕູຕ່ໍາ. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS. 


2 ຄຸນສົມບັດ

● ສະຫຼັບໄວ 

● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ

● ຄ່າບໍລິການປະຕູຕໍ່າ

● ຄວາມອາດສາມາດໃນການໂອນເງິນປີ້ນກັບກັນຕໍ່າ 

● 100% ການທົດສອບພະລັງງານ avalanche ກໍາມະຈອນດຽວ 

● 100% ΔVDS ການທົດສອບ 


3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ 

● ສະຫຼັບການສະຫນອງພະລັງງານ (SMPS).

● ພະລັງງານໂທລະທັດ & ພະລັງງານໄຟ LED 

● ຕົວແປງສັນຍານ AC ເປັນ DC 

● ໂທລະຄົມ


VDSS  RDS(ເປີດ) (TYP) ID 
650V 0.87Ω 4.8A



ທີ່ຜ່ານມາ: 
ຕໍ່ໄປ: 
  • ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາ
  • ກຽມພ້ອມສໍາລັບອະນາຄົດ
    ທີ່ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາເພື່ອຮັບການອັບເດດໂດຍກົງກັບ inbox ຂອງທ່ານ