porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET » 400V-1500V N MOS » MOSFET me fuqi super kryqëzimi 4.8A 650V N-kanal 4.8A DHDSJ5N65 TO-252B

ngarkim

Shpërndaje në:
butoni i ndarjes së facebook
butoni i ndarjes në Twitter
butoni i ndarjes së linjës
butoni i ndarjes së wechat
butoni i ndarjes së linkedin
butoni i ndarjes pinterest
butoni i ndarjes së whatsapp
Ndani këtë buton të ndarjes

MOSFET me fuqi 4,8A 650 V me super kryqëzim me fuqi DHDSJ5N65 TO-252B

Këto vdmosfet të zgjeruara me kanal N, përftohen nga teknologjia planare e vetë-linjëzuar e cila redukton humbjen e përcjelljes, përmirëson
performancën e ndërrimit dhe rrit energjinë e ortekëve. Që përputhet me standardin RoHS.
Disponueshmëria:
Sasia:

4.8A 650V me rrymë super-kryqezuese MOSFET me kanal N


1 Përshkrimi

Këto VDMOSFET të përmirësuara me kanal N, po përdorin teknologji dhe dizajn të avancuar të super-bashkimit për të ofruar Rdson të shkëlqyer me ngarkesë të ulët të portës. Që përputhet me standardin RoHS. 


2 Karakteristikat

● Ndërrimi i shpejtë 

● Rezistencë e ulët

● Ngarkesa e ulët e portës

● Kapacitete të ulëta të transferimit të kundërt 

● Testi i energjisë së ortekëve me puls 100% të vetëm 

● Testi 100% ΔVDS 


3 Aplikacionet 

● Furnizimet me energji të modalitetit të ndërruar (SMPS).

● Fuqia e televizorit dhe fuqia e ndriçimit LED 

● Konvertuesit AC në DC 

● Telekom


VDSS  RDS (aktiv) (TYP) ID 
650 V 0,87 Ω 4.8A



E mëparshme: 
Tjetër: 
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin