未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100 V 68A Donghai_DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
20A 650V SiC Schottkyho bariérová dióda DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650 V 20A Špecifikácia zariadenia DCC20D65G4.pdf
20A 650V Trenchstop izolovaná brána bipolárny tranzistor DGC20F65M2 TO-247-3L DGC20F65M2 TO-247 650 V 20A DGC20F65M2_datasheet.pdf
120A 40V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA TO-220C 40 V 120A Zariadenie+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
60A 600V Dióda rýchlej obnovy MUR6060BCT MUR6060BCT TO-247 MUR6060BCT TO-247 600 V 60A 英文版MUR6060BCT技术规格书REV1.1.pdf
40mΩ 650V N-kanálový SiC napájací MOSFET DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 TO-247 650 V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
8A 650V SiC Schottkyho bariérová dióda DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650 V 8A Špecifikácia zariadenia DCE08D65G4.pdf
DHS051N10P DFN5X6 DHS051N10P DFN5X6 100 V 108A Špecifikácia zariadenia DHS051N10P(2).pdf
250A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40 V 250A Zariadenie DH019N04 Špecifikácia.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20
68V/7,2mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N TO-252B 68V 80A Donghai_DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
Trojpólový regulátor napätia IC L7810 TO-220M L7810 TO-220 mil 10V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
40V/4,5mΩ/40A N-MOSFET DSR070N04LA DSR070N04LA
30A 400V Dióda rýchlej obnovy MUR3040NCS TO-3PN MUR3040NCS TO-3PN 400 V 30A 英文版MUR3040NCS技术规格书.pdf
80A 200V Dióda rýchlej obnovy MUR80FU20NCT TO-3PN MUR80FU20NCT TO-3PN 200 V 80A 英文版MUR80FU20NCT技术规格书REV1.2.pdf
60A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHD015N06 TO-252B DHD015N06 TO-252B 60 V 60A Špecifikácia zariadenia DHD015N06 (低开启电压50N06）.pdf
P-kanál Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D TO-252B -100 V -30A Špecifikácia zariadenia DH100P28.pdf
180A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DTG018N04N To-220C DTG018N04N TO-220C 40 V 180A DongHai DTG018N04N&DTJ018N04N Datasheet Rev.1.0 .pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH105N07D TO-252B DH105N07D TO-252B 68V 60A Zariadenie DH105N07 Špecifikácia.pdf
100V/5,5mΩ/100AN-MOSFET DSD065N10L3A TO-252 DSD065N10L3A TO-252B 100 V 100A Donghai_DSD065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com