未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty
Model:
Balík:
V:
A:
Vybrané produktové rady:

Všetky výrobky

obrazového modelu Balík v DataShet do podrobne popisuje dopyt koša
96a 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DFN5X6 Dsp051n10n DFN5*6-8 100 V 96a Zariadenie DSP051N10N Špecifikácia Rev.1.0.pdf
60A 300 V rýchle regeneračné diódy MUR6030NCA TO-3PN Mur6030nca Do-3pn 300 V 60A 英文版 MUR6030NCA 技术规格书 .pdf
50A 650V Trenchstop Izolované brána Bipolárny tranzistor DGC50F65M2 TO-247 DGC50F65M2 Až 247 650V 50A _datashet.pdf
220A 40V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DTE025N04NA TO-263 Dte025n04na Na 263 40V 220a Zariadenie DTE025N04NA & DTG025N04NA Špecifikácia Rev.1.0.pdf
2A 600V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET D2N60 až 252b D2N60 Až 252b 600 V 2a 英文版 D2N60 技术规格书 .pdf
13A 900V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET 13N90 do-3pn 13n90 Do-3pn 900 V 13a 英文版 13n90 技术规格书 .pdf
100a 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DHS065N10 Až 220 ° C 100 V 95a Zariadenie+DHS065N10+Špecifikácia+rev.2.0.pdf
30A 600 V rýchle regeneračné diódy MURF3060 až 220-2L Murf3060
6A 650V Trenchstop Izolované brána Bipolárny tranzistor DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 Až 252b 650V 6a _datashet.pdf
80A 60V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
65A 30V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DH033N03R DFN3X3 Dh033n03r Dfn3x3 30 V 65A Zariadenie DH033N03R špecifikácia.pdf
9A 900V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET 9N90B TO-247 9n90b Až 247 900 V 9a 英文版 9n90b 技术规格书 rev1.0 (1) .pdf
18A 650V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET F18N65 TO-220F F18N65 Až 220f 650V 18a 英文版 F18N65 技术规格书 rev1.0.pdf
155A 40V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 Až 220 ° C 40V 155a Zariadenie DH035N04 Špecifikácia.pdf
Pozitívne regulátory napätia 78L12 SOT-23 78L12 SOT-23 12V 2ma 英文版 78lxx 技术规格书 （78l 系列） .pdf
47a 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P Dfn5x6 100 V 47a Zariadenie DH135N10P Špecifikácia.pdf
N-Kannel Super Junction Power MOSFET 7A 650V DHDSJ7N65 TO-252B Dhdsj7n65 Až 252b 650V 7a Zariadenie DHDSJ7N65 & DHBSJ7N65 Špecifikácia.doc.pdf
10A 650V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET F10N65 TO-220F F10N65 Až 220f 650V 10a 英文版 F10N65 技术规格书 Rev1.0.pdf
80A 300 V rýchle regeneračné diódy MUR80G30NCT TO-3PN Mur80g30nct Do-3pn 300 V 80A 英文版 MUR80G30NCT 技术规格书 Rev.1.0.pdf
35A 120V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 Až 252b 120 V 35a Zariadenie+DSD270N12N3+Špecifikácia+rev.1.0.pdf

Video produkt

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty
    Odovzdať
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By Leadong.com