未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
Balík DSU010N04LA TOLL DSU010N04LA
10A 200V SchottkyBarrierDiode MBRE10200CT TO-263 MBRE10200CT TO-263 200 V 10A 英文版MBRE10200CT技术规格书REV-1.1.pdf
50A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHD50N03 TO-252B DHD50N03 TO-252B 30V 50A DHB50N03&DHD50N03_Datasheet_V1.0.pdf
3A 900V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHB3N90 TO-251 DHB3N90 TO-251 900 V 3A Špecifikácia zariadenia DH3N90.pdf
150V/9,5mΩ/52A N-MOSFET DHS110N15F TO-220F DHS110N15F TO-220F 150 V 52A Donghai+DHS110N15F+Datasheet+V1.0.pdf
4,5A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET F5N65C TO-220F F5N65C TO-220F 650 V 4,5A 英文版F5N65C技术规格书REV1.1.pdf
10,6A 700V N-channel Super Junction Power MOSFET DJD420N70T TO-252 DJD420N70T TO-252B 700 V 10,6A Špecifikácia zariadenia DJD420N70T Rev.1.0.pdf
7,6A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650 V 7.6A DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 18A 200V F640 TO-220F F640 TO-220F 200 V 18A Špecifikácia zariadenia 640.pdf
150V/7,5mΩ/115A N-MOSFET DO-220C DSG092N15N3A TO-220C 150 V 115A
30V/2,2mΩ/150A N-MOSFET DTG023N03L TO-220C DTG023N03L TO-220C 30V 150A DTG023N03L_Datasheet_V1.0.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 TO-220C 85V 100A Špecifikácia zariadenia DHS065N85.pdf
10,6A 700V N-channel Super Junction Power MOSFET DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700v 10,6A Špecifikácia zariadenia DJF420N70T Rev.1.0.pdf
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 TO-220C 120V 36A DSG270N12N3&DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 150V LOW VF SchottkyBarrierDiode MBR20R150CT TO-220C MBR20R150CT TO-220C 150 V 20A 英文版MBR20R150CT技术规格书.pdf
80A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS065N85P DFN5*6-8 DHS065N85P DFN5*6-8 85V 80A Špecifikácia zariadenia DHS065N85P.pdf
30A 45V SchottkyBarrierDiode MBR3045CT TO-3P MBR3045CT TO-3PN 45 V 30A
200A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30V 200A Zariadenie DH020N03(B39) Špecifikácia.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com