brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
10A 600V Dióda rýchlej obnovy MURF1060 TO-220-2L MURF1060 TO-220F-2L 600 V 10A 英文版MURF1060CT技术规格书.pdf
240A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 TO-220C 60 V 180A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+DataSheet+V2.0.pdf
300A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSU021N10NA MOTÝ BALÍK DSU021N10NA TOLL 100 V 300A Zariadenie+DSU021N10NA+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
30A 200V Dióda rýchleho obnovenia MUR3020DCT MUR3020DCT TO-3PN 200 V 30A 英文版MUR3020DCT技术规格书REV1.0.pdf
54A 30V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30 V 54A Zariadenie DH060N03R Špecifikácia.pdf
120A 70V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70 V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Datasheet+V3.0 (1).pdf
40A 1200V SiC Schottkyho bariérová dióda DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A Špecifikácia zariadenia DCCT40D120G4.pdf
3A 900V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHB3N90 TO-251 DHB3N90 TO-251 900 V 3A Špecifikácia zariadenia DH3N90.pdf
4,8A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650 V 4,8A Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
60A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40 V 60A Zariadenie DH065N04P Špecifikácia.pdf
15A 1200V SiC Schottkyho bariérová dióda DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Špecifikácia zariadenia DCGT15D120G4.pdf
30A 650V SiC Schottkyho bariérová dióda DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650 V 30A Špecifikácia zariadenia DCE30D65G4.pdf
-50A -60V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L TO-220C -60 V -50A Zariadenie+DH300P06L+Špecifikácia+Rev.2.0.pdf
7,0 A 1700 V N-kanálový SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700 V 7A Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U TOLL 100 V 180A Zariadenie+DHS025N10U+Špecifikácia+V2.0.pdf
140A 85V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
500V/4A polovičný mostík IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500 V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
80A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH045N04P BALENIE DFN5X6 DH045N04P DFN5X6 40 V 80A Špecifikácia zariadenia DH045N04P(1).pdf
500V/3A polovičný mostík IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500 V 5A Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 TO-220C 40 V 180A Špecifikácia zariadenia DHS020N04.pdf

Video o produkte

  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty