brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
60A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40 V 60A Zariadenie DH065N04P Špecifikácia.pdf
30V/2,2mΩ/150A N-MOSFET DTG023N03L TO-220C DTG023N03L TO-220C 30 V 150A Donghai_DTG023N03L_Datasheet_V1.0.pdf
 N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 TO-220C 85V 100A Špecifikácia zariadenia DHS065N85.pdf
10,6A 700V N-channel Super Junction Power MOSFET DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700v 10,6A Špecifikácia zariadenia DJF420N70T Rev.1.0.pdf
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 TO-220C 120V 36A Donghai_DSG270N12N3&DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 150V LOW VF SchottkyBarrierDiode MBR20R150CT TO-220C MBR20R150CT TO-220C 150V 20A 英文版MBR20R150CT技术规格书.pdf
30A 45V SchottkyBarrierDiode MBR3045CT TO-3P MBR3045CT TO-3PN 45 V 30A
140A 85V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
200A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30 V 200A Zariadenie DH020N03(B39) Špecifikácia.pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100 V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
130A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS037N10/ DHS037N10F/DHS037N10E
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 TO-220C 40 V 180A Špecifikácia zariadenia DHS020N04.pdf
16A 400V Dióda rýchlej obnovy MURF1640CT TO-220F MURF1640CT TO-220F 400 V 16A 英文版MURF1640CT技术规格书REV1.0.pdf
20A 650V Trenchstop Izolovaná brána Bipolárny tranzistor DGE20F65M2 TO-263 DGE20F65M2 TO-263 650 V 20A DGE20F65M2_datasheet.pdf
-6A -100V P-channel Mode Enhancement Mode Power MOSFET DH100P18V SOP-8 DH100P18V SOP-8 -100 V -6A Donghai_DH100P18V_Datasheet_V1.0.pdf
120A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA TO-263 40 V 120A Zariadenie+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
Trojpólový regulátor napätia IC L7812 TO-220M L7812 TO-220 mil 12V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
70A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DATP057N06N DFN5*6 DATP057N06N DFN5*6 60 V 70A Donghai_DATP057N06N_Datasheet_V1.0.pdf
238A 60V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 TO-220C 60 V 238A Zariadenie DH026N06 Špecifikácia.pdf

Video o produkte

  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty