未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

Všechny produkty

obrázku modelu Balíček V a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
100V 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30v 100a Specifikace zařízení DH033N03 (1) .pdf
80a 300V Fast Recovery Diode Mur80FU30DCT TO-3pn Mur80FU30DCT To-3pn 300V 80a 英文版 Mur80FU30DCT 技术规格书 .pdf
0,8a 600V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600V 0,8a
20A 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 20N65 TO-220C 20n65 TO-220C 650V 20a 英文版 20N65 技术规格书 AA9.PDF
20A 400V Fast Recovery Diode Mur2040 TO-220-2L Mur2040 TO-220-2L 400V 20a 英文版 Mur2040 技术规格书 220.pdf
60A 60V SchottkyBarrierdiode MBR6060CT TO-3PN MBR6060CT To-3pn 60V 60a 英文版 MBR6060CT (3p, 3pn, 247) 技术规格书 .pdf
90a 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHD90N03 TO-252B DHD90N03 TO-252B 30v 90a Zařízení DH90N03 B17 Specifikace.pdf
60A 300V Ultra-rychlá zotavení rychlé zotavení dioda mur60fu30cs to-3pn Mur60fu30dcs To-3pn 300V 60a
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 80A 60V D80N06 TO-252B 60V 80a Zařízení 80N06 Specifikace.pdf
110a 100V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
40A 600V Fast Recovery Diode Mur4060BCT TO-247 Mur4060BCT
45a 300V Fast Recovery Diode Mur4530dct to-3pn Mur4530dct To-3pn 300V 45a Mur4530DCT 英文版 FRD 45A 300V T Série 技术规格书 .pdf
10A 600V Fast Recovery Diode Mur1060 TO-220-2L Mur1060 TO-220-2L 600V 10a 英文版 Mur1060 技术规格书 Rev1.1.pdf
112a 85V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P DFN5*6 85v 112a Zařízení DHS043N85P Specification-Rev.1.0.pdf
108a 85V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85v 108a Dhs042nn85p_datasheet_v1.0.pdf
120a 90V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH90N055R TO-220C DH90N055R TO-220C 90V 120a Zařízení DH90N055R Specifikace.pdf
175a 80V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS035N88E TO-263 DHS035N88E TO-263 80V 175a DHS035N88 & DHS035N88E & DHS035N88I_DATASHEET_V2.0.pdf
40A 1200V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor DGC40H120M2 TO-247 DGC40H120M2 TO-247 1200V 40a DGC40H120M2 - Datasheet.pdf
100a 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30v 100a Specifikace zařízení DHP150N03 (1) .pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 180A 100V DSG028N10NA TO-220C DSG028N10NA TO-220C 100v 180a Zařízení+DSE026N10NA & DSG028N10NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf

Video produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by vodong.com