brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
10A 600V Dioda rychlého obnovení MURF1060 TO-220-2L MURF1060 TO-220F-2L 600V 10A 英文版MURF1060CT技术规格书.pdf
240A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 TO-220C 60V 180A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+DataSheet+V2.0.pdf
300A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DSU021N10NA TOLL BALÍČEK DSU021N10NA MÝTNÉ 100V 300A Zařízení+DSU021N10NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
30A 200V Dioda rychlého obnovení MUR3020DCT MUR3020DCT TO-3PN 200V 30A 英文版MUR3020DCT技术规格书REV1.0.pdf
54A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Specifikace zařízení DH060N03R.pdf
120A 70V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Datový list+V3.0 (1).pdf
40A 1200V SiC Schottkyho bariérová dioda DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A Specifikace zařízení DCCT40D120G4.pdf
3A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHB3N90 TO-251 DHB3N90 TO-251 900V 3A Specifikace zařízení DH3N90.pdf
4,8A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650V 4,8A Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
60A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40V 60A Specifikace zařízení DH065N04P.pdf
15A 1200V SiC Schottkyho bariérová dioda DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Specifikace zařízení DCGT15D120G4.pdf
30A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650V 30A Specifikace zařízení DCE30D65G4.pdf
-50A -60V Režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L TO-220C -60V -50A Zařízení+DH300P06L+Specifikace+Rev.2.0.pdf
7,0A 1700V N-kanálový SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700V 7A Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U MÝTNÉ 100V 180A Zařízení+DHS025N10U+Specifikace+V2.0.pdf
Výkonový MOSFET 140A 85V N-channel Enhancement Mode DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
500V/4A Half-Bridge IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
80A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH045N04P BALENÍ DFN5X6 DH045N04P DFN5X6 40V 80A Specifikace zařízení DH045N04P(1).pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 TO-220C 40V 180A Specifikace zařízení DHS020N04.pdf

Video o produktu

  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky