未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100V -35A DH100P30D_Datasheet_V1.0+.pdf
174A 85V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS030N88E TO-263 DHS030N88E TO-263 85V 174A Specifikace zařízení DHS030N88.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D TO-252B -100V -20A Specifikace zařízení DH100P20.pdf
45A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS160N100D TO-252B DHS160N100D TO-252B 100V 45A DHS160N100D_Datasheet_V2.0.pdf
96A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40V 96A DH033N04P+_Datasheet_V1.0.pdf
80A 85V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS065N85P DFN5*6-8 DHS065N85P DFN5*6-8 85V 80A Specifikace zařízení DHS065N85P.pdf
Výkonový MOSFET 180A 135V N-channel Enhancement Mode DSG052N14N TO-220C 135V 180A DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
100V/12mΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B 100V 60A DSD150N10L3&DSB150N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
3úrovňový invertorový modul NPC Modul IGBT DGQ450C65M2T DGQ450C65M2T Přiřazení pinu 650V 270A DGQ450C65M2T-REV1.5.pdf
MUR6030BCT TO-247S MUR6030BCT
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
8N65 TO-220C 8N65
DSU047N15NA MÝTNÍ BALENÍ DSU047N15NA
10A 200V SchottkyBarrierDiode MBRE10200CT TO-263 MBRE10200CT TO-263 200V 10A 英文版MBRE10200CT技术规格书REV-1.1.pdf
3A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHB3N90 TO-251 DHB3N90 TO-251 900V 3A Specifikace zařízení DH3N90.pdf
150V/9,5mΩ/52A N-MOSFET DHS110N15F TO-220F DHS110N15F TO-220F 150V 52A Donghai+DHS110N15F+Datový list+V1.0.pdf
10,6A 700V N-channel Super Junction Power MOSFET DJD420N70T TO-252 DJD420N70T TO-252B 700V 10,6A Specifikace zařízení DJD420N70T Rev.1.0.pdf
7,6A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650V 7,6A DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 18A 200V F640 TO-220F F640 TO-220F 200V 18A Specifikace zařízení 640.pdf
150V/7,5mΩ/115A N-MOSFET DO-220C DSG092N15N3A TO-220C 150V 115A

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com