brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
150A 1200V Modul polovičního můstku IGBT modul DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
6A 650V Trenchstop izolovaná brána bipolární tranzistor DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650V 6A DGD06F65M2__datasheet.pdf
 SiC Schottkyho bariérová dioda 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100V 30A Specifikace zařízení DH100P30AD.pdf
 Rychlá obnovovací dioda 20A 400V MUR2040CT TO-220C MUR2040CT TO-220C 400V 20A 英文版MUR2040CT技术规格书 (2).pdf
96A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30V 96A Specifikace zařízení DH030N03P.pdf
130A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85V 130A Donghai_DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
2A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET B2N65 B2N65 TO-251B 650V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
60A 300V Dioda rychlého obnovení MUR60G30NCT TO-3PN MUR60G30NCT TO-3PN 300V 60A 英文版 MUR60G30NCT 技术规格书REV.1.0.pdf
60A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 TO-220C 100V 59A Specifikace zařízení DH0159B76(1).pdf
10,6A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DJD380N65T TO-252B DJD380N65T TO-252B 650V 10,6A Donghai_DJD380N65T_Datesheet_V1.0.pdf
80A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68V 80A Specifikace zařízení DH072N07.pdf
80A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100V 80A Specifikace zařízení DHS065N10P(1).pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700V 4A 英文版D4N70技术规格书.pdf
20A 650V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
33A 60V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60V 33A Specifikace zařízení DH240N06L Rev.2.0.pdf
Výkonový MOSFET 65A 100V N-channel Mode Enhancement DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
18A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
80A 80V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80V 80A Zařízení DH80N08 B22 Specifikace.pdf
Výkonový MOSFET 120A100V N-channel Enhancement Mode D120N10 TO-220C 100V 120A Specifikace zařízení D120N10ZR.pdf

Video o produktu

  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky