brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
25A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 10A 600V 10N60 10N60
5A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 5N50 5N50
180A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 TO-220C 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+datasheet+Rev.1.0.pdf
16A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4 (8*8) 650V 16A Donghai DHSJ21N65Z Datasheet V1.0(1).pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500V 13A 英文版E13N50技术规格书.pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf
10,6A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650V 10,6A Specifikace zařízení DJF380N65T Rev.1.0.pdf
80A 1200V Dioda rychlého obnovení MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
-140A -60V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Zařízení+DTG050P06LA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
80A 200V Dioda rychlé obnovy MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA TO-3PN 200V 80A 英文版MUR80FU20NCA技术规格书.pdf
8A 650V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650V 8A F8N65技术规格书.pdf
180A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100V 180A Zařízení+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
100A 1200V Polomůstek IGBT modul DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34 mm 1200V 100A DGA100H120M2T.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+datasheet+Rev.1.0.pdf
50A 200V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200V 50A Specifikace zařízení F50N20(1).pdf
150A 1200V Modul polovičního můstku IGBT modul DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120L2T.pdf
4A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Specifikace zařízení DCD04D65G4.pdf
150A 1200V Modul polovičního můstku IGBT modul DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
6A 650V Trenchstop izolovaná brána bipolární tranzistor DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650V 6A _datasheet.pdf

Video o produktu

  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky