未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
70A 82V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH8290 TO-220C DH8290 TO-220C 82V 70A Specifikace zařízení DH8290.pdf
160A 120V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS044N12E TO-263 DHS044N12E TO-263 120V 160A Donghai_DHS044N12&DHS044N12E_Datasheet_V1.0.pdf
600A 1200V Modul polovičního můstku DGD600H120L2T EconoDUAL3 BALENÍ DGD600H120L2T EconoDUAL3 1200V 600A DGD600H120L2T-REV1.1.pdf
SchottkyBarrierDiode 10A 200V MBR10200CT TO-220M MBR10200CT TO-220M 200V 10A 英文版MBR10200CT技术规格书REV-1.1.pdf
100V/15mΩ/50A N-MOSFET TO-252B DHS180N10LD TO-252B 100V 50A Donghai_DHS180N10LD_Datasheet_V1.0-SOQ.pdf
10A 100V SchottkyBarrierDiodwu District, město Wuxi, provincie Jiangsu. Rozkládá se na ploše 15 000 m2. Základní kapitál je 81,5 milionů juanů. Má roční výrobní linku 500 milionů energetických zařízení. K dispozici jsou čtyři laboratoře pro test vlastností zařízení, test spolehlivosti, aplikační test a analýzu poruch. Donghai je high-tech společnost zabývající se vývojem, designem, balením, testováním a prodejem polovodičových energetických zařízení a integrovaných obvodů. MBR10100CT TO-252B 100V 10A 英文版MBR10100CT技术规格书.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 145A 60V DH045N06 TO-220C DH045N06 TO-220C 60V 145A Specifikace zařízení DH045N06.pdf
20A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650V 20A Specifikace zařízení DCD20D65G4.pdf
100A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH066N06D TO-252B DH066N06D TO-252B 60V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
16A 600V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F16N60 TO-220F F16N60
80A 600V Dioda rychlé obnovy MUR8060FCT TO-3PF MUR8060FCT TO-3PF 600V 80A 英文版MUR8060FCT技术规格书REV1.0.pdf
30mΩ 1200V N-kanálový SiC Power MOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
20A 45V LOW VF SchottkyBarrierDiode MBR20R45CT TO-263 MBR20R45CT TO-263 45V 20A 英文版MBR20R45CT技术规格书.pdf
10A 150V SchottkyBarrierDiode MBR10150CT TO-220M MBR10150CT TO-220M 150V 10A MBR10150CT技术规格书.pdf
25A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 25N10 TO-220C 25N10 TO-220C 100V 25A Specifikace zařízení 25N10.pdf
60A 600V Dioda rychlého obnovení MUR6060NCT TO-3PN MUR6060NCT TO-3PN 600V 60A 英文版MUR6060NCT技术规格书.pdf
50A 30V N-kanálový režim zesílení napájení MOSFET DHD50N03 TO-252B DHD50N03 TO-252B 30V 50A Donghai_DHB50N03&DHD50N03_Datasheet_V1.0.pdf
150V/9,5mΩ/52A N-MOSFET DHS110N15F TO-220F DHS110N15F TO-220F 150V 52A Donghai+DHS110N15F+Datový list+V1.0.pdf
100A 30V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30V 100A Donghai_30H10_Datasheet_V1.0.pdf
4,5A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F5N65C TO-220F F5N65C TO-220F 650V 4,5A 英文版F5N65C技术规格书REV1.1.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com