未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

Všechny produkty

obrázku modelu Balíček V a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
60A 300V Fast Recovery Diode Mur60G30NCT TO-3pn Mur60G30NCT To-3pn 300V 60a 英文版 Mur60G30NCT 技术规格书 Rev.1.0.pdf
10A 700V Fast Recovery Diode Mur1070 TO-220-2L Mur1070 TO-220-2L 700V 10a 英文版 Mur1070 技术规格书 .pdf
40a 600V Fast Recovery Diode MUR40FU60DCT TO-3pn Mur40FU60DCT To-3pn 600V 40a 英文版 Mur40FU60DCT 技术规格书 .pdf
120a 80V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET DSG053N08N3 DSG053N08N3 TO-220C 80V 120a DSG053N08N3 & DSE051N08N3_DATASHEET_V1.0.pdf
-50A -40V režim pro zlepšení P-kanálu Power MOSFET DH160P04D TO-252B DH160P04D TO-252B -40V -50A Dh160p04d_datasheet_v1.0.pdf
180a 80V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 TO-220C 80V 180a Zařízení DH029N08 Specifikace.pdf
20a 200V SchottkyBarrierdiode MBRF20200CT TO-220F MBRF20200CT TO-220F 200V 20a 英文版 MBRF20200CT 技术规格书 REV1.1.PDF
120a 98V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 TO-220C 98v 120a Zařízení DHS046N10 Specifikace.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30v 100a Zařízení DH100N03 B13 Specifikace.pdf
18A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500V 18a 英文版 F18N50 技术规格书 .pdf
140a 30V P-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
10A 600V Fast Recovery Diode Murf1060 TO-220-2L Murf1060 TO-220F-2L 600V 10a 英文版 Murf1060CT 技术规格书 .pdf
20A 200V nízký VF Schottky Barier Diode MBRF20R200CT TO-220F MBRF20R200CT TO-220F 200V 20a 英文版 MBR20R200CT 技术规格书 .pdf
25a 100V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100v 25a Zařízení+DHS250N10D+Specifikace+Rev1.0.pdf
12A 100V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100v 12a Zařízení DH1K1N10 Specifikace.pdf
20A 600V Fast Recovery Diode Mur2060A TO-220-2L Mur2060a TO-220-2L 600V 20a 英文版 Mur2060a 技术规格书（ 2L） .pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98v 120a Zařízení DHS045N98 Specification-Rev.1.0.pdf
80a 75V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET D7509 TO-220C D7509 TO-220C 75V 80a Zařízení D7509 Specifikace.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80V 180a Specifikace zařízení DH8004 (2) .pdf
9A 900V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 9N90 až 3pn 9N90 To-3pn 900V 9a 英文版 9N90 3pn 技术规格书 .pdf

Video produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com