未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

Всі продукти

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
4A 1500 В N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH4N150F TO-3PF DH4N150F ТО-3ПФ 1500В 4А 英文版DH4N150F技术规格书.pdf
Біполярний транзистор з ізольованим затвором 60A 650V G60T65D TO-3PN DHG60T65D ТО-3ПН 650В 60А Специфікація пристрою DHG60T65D (TO-3PN) Rev1.2.pdf
60A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 ТО-220С 60В 60А Специфікація пристрою DH60N06+.pdf
10A 800V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 ТО-220Ф 800В 10А 英文版F10N80技术规格书.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 ТО-220Ф 500В 13А 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
12A 600V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F12N60 TO-220F F12N60 ТО-220Ф 600В 12А 英文版F12N60技术规格书REV1.0(1).pdf
23A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 23N50D TO-3P 23N50D ТО-3ПН 500В 23А 英文版23N50D技术规格书.pdf
4A 600V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET B4N60 B4N60 ТО-251Б 600В 4А 英文版B4N60技术规格书.pdf
50A 1200V Напівмостовий модуль IGBT DHG50N120D 34 мм DHG50N120D 34 мм 1200В 50А DHG50N120D.pdf
7A 700V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 ТО-252Б 700В 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf
5A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET B5N65 TO-251B B5N65 ТО-251Б 650В 5А 英文版B5N65技术规格书MAX.pdf
75A 1200V Напівмостовий модуль IGBT DGA75H120M2T 34 мм DGA75H120M2T 34 мм 1200В 75А DGA75H120M2T.pdf
20 мОм 650 В N-канальний SiC Power MOSFET DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 ТО-247 650В 92A DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Таблиця даних_V1.0.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 10A 650V 10N65 TO-220C 10N65 ТО-220С 650В 10А 英文版10N65技术规格书.pdf
13A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 13N50 TO-220C 13N50 ТО-220С 500В 13А 英文版13N50技术规格书.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 ТО-251Б 800В 4А 英文版B4N80技术规格书.pdf
41A 650V N-канальний SIC Power MOSFET DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 ТО-247 650В 41А DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Таблиця даних_V1.0.pdf
5A 1200V SiC бар'єрний діод Шотткі DCD05D120G3
14A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F14N65 TO-220F F14N65 ТО-220Ф 650В 14А 英文版F14N65技术规格书AY3.pdf
12A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F12N65 F12N65 ТО-220Ф 650В 12А 英文版F12N65技术规格书REV1.0.pdf

Відео продукту

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторське право © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com