доступність: | |
---|---|
Кількість: | |
6A 900V N-канальний режим Power Power Mosfet
1 опис
Ці N-канальні покращені VDMOSFET, отримують за допомогою самовигалученої планарної технології, яка зменшує втрати провідності, покращує ефективність комутації та покращує енергію лавини. Що відповідає ROHS
стандартний.
2 особливості
● Швидкий перемикання
● Поліпшена потужність ОУР
● Низький опір (rdson≤2.3ω)
● 100% випробування на енергетику з одноразовим лавином
● 100% ΔVDS -тест
3 програми
Використовується в різних схемах перемикання живлення для мініатюризації системи та більш високої ефективності.
Схема вимикача електронів баласту та адаптера.
VDSS | RDS (ON) (TYP) | Ідентифікатор |
900 В | 1,85ω | 6A |
6A 900V N-канальний режим Power Power Mosfet
1 опис
Ці N-канальні покращені VDMOSFET, отримують за допомогою самовигалученої планарної технології, яка зменшує втрати провідності, покращує ефективність комутації та покращує енергію лавини. Що відповідає ROHS
стандартний.
2 особливості
● Швидкий перемикання
● Поліпшена потужність ОУР
● Низький опір (rdson≤2.3ω)
● 100% випробування на енергетику з одноразовим лавином
● 100% ΔVDS -тест
3 програми
Використовується в різних схемах перемикання живлення для мініатюризації системи та більш високої ефективності.
Схема вимикача електронів баласту та адаптера.
VDSS | RDS (ON) (TYP) | Ідентифікатор |
900 В | 1,85ω | 6A |