6N90/F6N90

6A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Опис

Ці покращені vdmos-транзистори з N-каналом отримані за допомогою саморегульованої планарної технології, яка зменшує втрати провідності, покращує продуктивність перемикання та підвищує енергію лавини. Що відповідає RoHS

стандарт. 

2 Особливості

● Швидке перемикання

● Покращені можливості ESD

● Низький опір (Rdson≤2,3Ω)

● 100% одноімпульсний тест на лавинну енергію

● 100% тест ΔVDS

3 Додатки

 Використовується в різних схемах перемикання потужності для мініатюризації системи та підвищення ефективності.

 Схема вимикача живлення електронного баласту та адаптера.

VDSS	RDS(увімкнено)(TYP)	ID
900В	1,85 Ом	6A