6N90/F6N90

Modo de mejora de 6a 900V N-canal MOSFET

1 descripción

Estos VDMOSFET mejorados con el canal N, se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejoran el rendimiento del cambio y mejora la energía de avalancha. Que concuerda con el rohs

estándar. 

2 características

● Cambio rápido

● ESD mejoró la capacidad

● Baja de resistencia (rdson≤2.3Ω)

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%

● Prueba de 100% ΔVDS

3 aplicaciones

 Utilizado en varios circuitos de conmutación de potencia para la miniaturización del sistema y una mayor eficiencia.

 Circuito de interruptor de encendido de bolas de electrones y adaptador.