در دسترس بودن: | |
---|---|
مقدار: | |
6A 900V N-Channel Mode Mode Power MOSFET
1 توضیحات
این VDMOSFET های پیشرفته N- کانال ، توسط فناوری مسطح خود تراز شده که باعث کاهش از دست دادن هدایت ، بهبود عملکرد سوئیچینگ و افزایش انرژی بهمن می شود ، بدست می آید. که با ROHS مطابقت دارد
استاندارد
2 ویژگی
● سوئیچینگ سریع
● ESD قابلیت بهبود یافته
● کم مقاومت (Rdson≤2.3Ω)
● 100 ٪ تست انرژی بهمن پالس تک
● 100 ٪ تست ΔVDS
3 برنامه
در مدار مختلف سوئیچینگ برق برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود.
circuit مدار سوئیچ برق از بالاست و آداپتور الکترونی.
vdss | rds (روشن) (تایپ) | شناسه |
900 ولت | 1.85Ω | 6a |
6A 900V N-Channel Mode Mode Power MOSFET
1 توضیحات
این VDMOSFET های پیشرفته N- کانال ، توسط فناوری مسطح خود تراز شده که باعث کاهش از دست دادن هدایت ، بهبود عملکرد سوئیچینگ و افزایش انرژی بهمن می شود ، بدست می آید. که با ROHS مطابقت دارد
استاندارد
2 ویژگی
● سوئیچینگ سریع
● ESD قابلیت بهبود یافته
● کم مقاومت (Rdson≤2.3Ω)
● 100 ٪ تست انرژی بهمن پالس تک
● 100 ٪ تست ΔVDS
3 برنامه
در مدار مختلف سوئیچینگ برق برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود.
circuit مدار سوئیچ برق از بالاست و آداپتور الکترونی.
vdss | rds (روشن) (تایپ) | شناسه |
900 ولت | 1.85Ω | 6a |