6n90/f6n90

6A 900V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Paglalarawan

Ang mga N-channel na pinahusay na VDMOSFETS, ay nakuha ng teknolohiyang planar na nakahanay sa sarili na binabawasan ang pagkawala ng pagpapadaloy, pagbutihin ang paglipat ng pagganap at mapahusay ang enerhiya ng avalanche. Na naaayon sa ROHS

Pamantayan. 

2 Mga Tampok

● Mabilis na paglipat

● ESD Pinahusay na Kakayahan

● Mababa sa paglaban (rdson≤2.3Ω)

● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test

● 100% ΔVDS test

3 mga aplikasyon

 Ginagamit sa iba't ibang circuit ng paglipat ng kuryente para sa system miniaturization at mas mataas na kahusayan.

 Power switch circuit ng electron ballast at adapter.