6n90/f6n90

6A 900V N-CHANNEL மேம்பாட்டு பயன்முறை சக்தி MOSFET

1 விளக்கம்

இந்த n- சேனல் மேம்படுத்தப்பட்ட VDMOSFET கள், சுய-சீரமைக்கப்பட்ட பிளானர் தொழில்நுட்பத்தால் பெறப்படுகின்றன, இது கடத்தல் இழப்பைக் குறைக்கிறது, மாறுதல் செயல்திறனை மேம்படுத்துகிறது மற்றும் பனிச்சரிவு ஆற்றலை மேம்படுத்துகிறது. இது ROHS உடன் ஒத்துப்போகிறது

தரநிலை. 

2 அம்சங்கள்

● வேகமாக மாறுதல்

ES ESD மேம்படுத்தப்பட்ட திறன்

Ristivire எதிர்ப்பில் குறைவாக (rdson≤2.3Ω)

● 100% ஒற்றை துடிப்பு பனிச்சரிவு ஆற்றல் சோதனை

● 100% ΔVDS சோதனை

3 பயன்பாடுகள்

Min கணினி மினியேட்டரைசேஷன் மற்றும் அதிக செயல்திறனுக்காக பல்வேறு சக்தி மாறுதல் சுற்றுவட்டத்தில் பயன்படுத்தப்படுகிறது.

Lext எலக்ட்ரான் நிலைப்படுத்தல் மற்றும் அடாப்டரின் பவர் சுவிட்ச் சுற்று.