6N90/F6N90

6A 900V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET

1 ဖော်ပြချက်

ဤ N-channel မြှင့်တင်ထားသော vdmosfets များသည် conduction ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန်၊ switching performance ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် avalanche စွမ်းအင်ကို မြှင့်တင်ပေးသော self-aligned planar နည်းပညာဖြင့် ရရှိပါသည်။ RoHS နဲ့ ကိုက်ညီတယ်။

စံ။ 

အင်္ဂါရပ် ၂ ခု

● အမြန်ပြောင်းခြင်း။

● ESD စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးသည်။

● ခုခံမှုနည်းသည်(Rdson≤2.3Ω)

● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု

● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု

3 လျှောက်လွှာများ

 system miniaturization နှင့် ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက် အမျိုးမျိုးသော power switching circuit တွင်အသုံးပြုသည်။

 အီလက်ထရွန် ballast နှင့် adaptor ၏ power switch circuit

VDSS	RDS(ဖွင့်)(TYP)	အမှတ်သညာ
900V	1.85Ω	6A