brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET »» 400V-1500V N MOS » 6N90/F6N90

načítání

Sdílet na:
Tlačítko sdílení Facebooku
tlačítko sdílení Twitteru
Tlačítko sdílení linky
Tlačítko sdílení WeChat
tlačítko sdílení LinkedIn
Tlačítko sdílení Pinterestu
tlačítko sdílení WhatsApp
Tlačítko sdílení Sharethis

6N90/F6N90

6a 900V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET
Dostupnost:
Množství:

6A 900V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET

1 Popis

Tyto N-kanálové vylepšené VDMOSFETS je získáno samostatně vyrovnanou rovinnou technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje výkon přepínání a zvyšuje energii laviny. Který v souladu s ROHS

norma. 

2 funkce

● Rychlé přepínání

● ESD vylepšená schopnost

● Nízký odpor (RDSON <2,3Ω)

● 100% test na lavinu s jedním pulsem

● Test 100% ΔVDS

3 aplikace

 Používá se v různých přepínacích obvodu pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost.

 Obvod výkonu přepínače elektronového balastu a adaptéru.


VDSS RDS (on) (typ) Id
900V 1,85Ω 6a


Předchozí: 
Další: 
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty