brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 6N90/F6N90

načítání

Sdílet s:
tlačítko sdílení na facebooku
tlačítko sdílení na Twitteru
tlačítko sdílení linky
tlačítko sdílení wechat
tlačítko sdílení linkedin
tlačítko sdílení na pinterestu
tlačítko sdílení whatsapp
sdílet toto tlačítko sdílení

6N90/F6N90

6A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Dostupnost:
Množství:

Výkonový MOSFET 6A 900V N-channel Enhancement Mode

1 Popis

Tyto N-kanálové vylepšené vdmosfety jsou získány samočinně zarovnanou planární technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje energii laviny. Což je v souladu s RoHS

norma. 

2 Vlastnosti

● Rychlé přepínání

● Vylepšená schopnost ESD

● Nízký odpor (Rdson≤2,3Ω)

● 100% jednopulzní lavinový energetický test

● 100% test ΔVDS

3 Aplikace

 Používá se v různých výkonových spínacích obvodech pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost.

 Spínací obvod elektronového předřadníku a adaptéru.


VDSS RDS(zapnuto)(TYP) ID
900V 1,85Ω 6A


Předchozí: 
Další: 
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky