6A 900 V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET
1 Kirjeldus
Need N-kanaliga täiustatud vdmosfetid on saadud isejoonduva tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandab lülitusjõudlust ja suurendab laviini energiat. Mis on kooskõlas RoHS-iga
standard.
2 Omadused
● Kiire ümberlülitamine
● ESD täiustatud võime
● Madal takistus (Rdson≤2,3Ω)
● 100% ühe impulsi laviini energia test
● 100% ΔVDS test
3 Rakendused
Kasutatakse erinevates toitelülitusahelates süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema tõhususe tagamiseks.
Elektronliiteseadise ja adapteri toitelüliti ahel.
| VDSS |
RDS (sees) (TYP) |
ID |
| 900V |
1,85Ω |
6A |