Elérhetőség: | |
---|---|
Mennyiség: | |
6A 900V N-csatornás javító mód POWER MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely összhangban áll a Rohs -szal
standard.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (rdson≤2,3Ω)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
A rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra történő különféle teljesítménykapcsoló áramkörben használják.
Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
900 V -os | 1,85Ω | 6a |
6A 900V N-csatornás javító mód POWER MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely összhangban áll a Rohs -szal
standard.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (rdson≤2,3Ω)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
A rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra történő különféle teljesítménykapcsoló áramkörben használják.
Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
900 V -os | 1,85Ω | 6a |